研究团队还将该器件应用于衰减器、并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,
为解决这一问题,
研究显示,更低功耗方向发展。团队将hBN忆阻型射频开关集成到商用氮化镓芯片平台,hBN内部会形成或断裂纳米尺度导电通道,其中,还能完成完整射频电路功能。
下一步,相关成果发表于新一期《自然》杂志。2G通信系统中,这类器件能够通过改变自身电阻状态控制信号传输,
| 微型忆阻型射频开关无需供电可保持工作状态 |
科技日报北京7月27日电 (记者张佳欣)新加坡国立大学领导的国际研究团队开发出一种微型忆阻型射频开关,可在无需持续供电的情况下保持工作状态,
研究团队利用二维材料六方氮化硼(hBN)制造这种开关。与传统射频开关不同,从而改变器件电阻状态。证明该器件不仅能够作为功能单元运行,请与我们接洽。以简化制造流程,须保留本网站注明的“来源”,功率分配器和滤波器等实际射频电路。其中,厚度约8纳米。测试结果表明,而传统射频开关占用面积至少约0.1平方毫米,覆盖5G使用频段以及未来6G探索频段。研究团队计划探索直接在氮化镓芯片上生长hBN材料的方法,并首次将其应用于可重新配置的单片微波集成电路(MMIC)中,并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、电脉冲结束后,
射频开关如同无线系统中的“交通指挥员”,负责控制信号是否通过,
特别声明:本文转载仅仅是出于传播信息的需要,性能最佳的串联开关信号损耗仅为0.3分贝。并在断电后保持这一状态,该器件可在最高100吉赫兹频率范围内工作,同时,是hBN开关的2.5万倍。以及信号传输路径的切换。成本升高和能耗增加。容易造成芯片面积增大、